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Patricia-Pato / ScoreBoradProject

2021年度　情報工学科三年　課題研究　体育祭用得点掲示板の製作
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ブートストラップ回路のローサイドFETの破損 #2

Closed Patricia-Pato closed 3 years ago

Patricia-Pato commented 4 years ago

ブートストラップICにオシロスコープのプローブを当てた際に破損が認められたため、今後の測定には十分注意すること

Patricia-Pato commented 4 years ago

破損すると異常発熱が確認でき、ハイサイドFETのゲート電圧がGNDまで降下しなくなりターンoffしない

Patricia-Pato commented 3 years ago

BSS138MOSFETのドレイン・ソース間の耐圧が+50Vのため48V印可時に破損した