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一般化クラスタ相関展開(gCCE)法を用いてシミュレーションされた核スピンの浴の存在下での2つの結合したスピン量子ビットのコヒーレンスについて研究する。このモデルでは、等方的交換相互作用あるいは磁気双極子相互作用で結合した2つの電子スピンが、ランダムな核スピンの環境と相互作用する。2量子ビットの縮退密度行列(RDM)の時間発展を調べ、その結果、デコヒーレンスに対応するオフ対角要素の減衰を調べ、これにより純粋なディフェージング領域におけるゲート忠実度を計算することができる。また、系が自由進化をする場合と、動的デカップリング・パルスを印加した進化をする場合のデコヒーレンスを対比する。さらに、外部磁場と現実的なスピン量子ビットを模倣した系パラメータに対するデコヒーレンスの依存性を、磁性分子を中心に研究する。最後に、核スピン誘起2量子ビット緩和過程のシミュレーションにおけるgCCEの応用と限界についてコメントする。
http://arxiv.org/abs/2402.18722v1 (ar5iv, pdf)
Xiao Chen, Silas Hoffman, James N. Fry, Hai-Ping Cheng
2024/02/28
Summary (DeepL訳)
一般化クラスタ相関展開(gCCE)法を用いてシミュレーションされた核スピンの浴の存在下での2つの結合したスピン量子ビットのコヒーレンスについて研究する。このモデルでは、等方的交換相互作用あるいは磁気双極子相互作用で結合した2つの電子スピンが、ランダムな核スピンの環境と相互作用する。2量子ビットの縮退密度行列(RDM)の時間発展を調べ、その結果、デコヒーレンスに対応するオフ対角要素の減衰を調べ、これにより純粋なディフェージング領域におけるゲート忠実度を計算することができる。また、系が自由進化をする場合と、動的デカップリング・パルスを印加した進化をする場合のデコヒーレンスを対比する。さらに、外部磁場と現実的なスピン量子ビットを模倣した系パラメータに対するデコヒーレンスの依存性を、磁性分子を中心に研究する。最後に、核スピン誘起2量子ビット緩和過程のシミュレーションにおけるgCCEの応用と限界についてコメントする。
Links
http://arxiv.org/abs/2402.18722v1 (ar5iv, pdf)
Authors
Xiao Chen, Silas Hoffman, James N. Fry, Hai-Ping Cheng
Published
2024/02/28