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armink / FlashDB

An ultra-lightweight database that supports key-value and time series data | 一款支持 KV 数据和时序数据的超轻量级数据库
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两个不同的flash如何设置FDB_WRITE_GRAN #214

Open GarMingLi opened 1 year ago

GarMingLi commented 1 year ago

项目中使用到Flash-DB，划分了多个分区，有的分区在SPI_Flash芯片上，有的分区在内部flash上。现在的问题是：内部flash的写入颗粒度是4字节（32bit），而SPI-Flash的写入颗粒度是1bit，如何配置FDB_WRITE_GRAN？我配置成1后，由于内部flash的写函数必须4字节对齐，但是使用过程中，有些数据的写入，fal_partition_write函数传入的地址参数和大小参数，都不是4字节对齐的，这会导致内部flash的写入失败，如何解决？

armink commented 1 year ago

按照大的值，4字节对齐就行

GarMingLi commented 1 year ago

按照大的值，4字节对齐就行

如果按最大的值，SPI-FLash的的效率会不会受到影响的？

armink commented 1 year ago

多少会有一些，可以实测一下